TC Wafer温度传感器
TC Wafer温度传感器
- 优异软件性能
- 测温范围最高达1200℃
- 可定制点数以及布局
- 可定制线长
- 交期可控
- 成本可控
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TC Wafer温度传感器
产品介绍
TC Wafer是使用特殊加工工艺将耐高温传感器热电偶（Thermocouple）镶嵌于晶圆表面特定位置，从而可实现晶圆表面温度实时测量的温度传感器。
通过TC Wafer可获得晶圆特定位置的真实温度测量值以及整体晶圆的温度分布情况。
也可用于持续监控在热处理制程中晶圆瞬态温度变化，比如：升温，降温，恒温过程及延迟时间等。
规格参数
| 序号 | 参数 | 内容 |
| 1 | 精度 | K型:±1.1℃/0.4%; |
| R/S型:±0.6℃/0.1%; | ||
| T型:±0.5℃; | ||
| 2 | 测温范围 | K型:RT~1200℃; |
| R/S型:RT~1200℃; | ||
| T型:RT~350℃; | ||
| 3 | 传感器类型 | TC |
| 4 | 热电偶型号 | K/R/S/T |
| 5 | TC线径 | 0.127mm/0.254mm |
| 6 | 测温点数 | 1~34 |
| 7 | 基底材质 | 硅/ 蓝宝石/碳化硅等 |
| 8 | 晶圆尺寸 | 2”，4”，6”，8”，12” |
| 9 | 线长 | L1-腔体内部；L2-仓门过渡段；L3-腔体外部 |
| 10 | 应用场景 | 物理气相沉积(PVD)、原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)、退火炉、去胶设备、晶圆临时键合、涂胶显影TRACK设备、加热板、加热盘 |
软件界面
主要应用
物理气相沉积(PVD)
原子层沉积(ALD)
化学气相沉积(CVD)
退火炉
去胶设备
晶圆临时键合
涂胶显影TRACK设备
加热板、加热盘
生产周期
约35天
如何选型
1.确定温度范围
2.确定精度
3.确定WAFER尺寸
4.确定真空度要求（主要考虑过渡段L2在仓门处的宽度及厚薄）
5.确定测量点数及分布
6.确定各线段L1、L2、L3的线长（主要考虑TCWafer放置于Chamber里的线长）
7.其他：插头型式