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RTD Wafer温度传感器

RTD wafer inroduction

RTD Wafer温度传感器

  • 测温精度高:±0.05℃
  • 测温范围:-40~250℃
  • 测温点数:1-97点
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RTD Wafer introduction 温度传感器

RTD Wafer温度传感器

产品介绍

RTD Wafer是使用特殊加工工艺 将测温传感器(RTD)镶嵌于晶圆表面特定位置,从而可实现晶圆表面温度实时测量的温度传感器。
通过RTD Wafer可获得晶圆特定位置的真实温度测量值以及整体晶 圆的温度分布情况;也可用于持续 监控在热处理制程中晶圆瞬态温度变化。

规格参数

序号参数内容
1精度±0.05℃(-80-250℃,0-250℃)
±0.5℃(-80-350℃,0-350℃)
2测温范围-80~250℃(精度±0.05℃)
-80-350℃(精度±0.5℃) 
3温度分辨率0.01℃
4传感器类型PT
5测温点数1~81
6基底材质硅/ 蓝宝石等
7晶圆尺寸2”,4”,6”,8”,12”
8通信有线/无线
9厚度2~3.5mm
10应用场景光刻涂胶显影TRACK设备、原子层沉积(ALD)、探针台测温、高精度加热盘

软件界面

主要应用

光刻涂胶显影TRACK设备
原子层沉积(ALD)
探针台测温
高精度加热盘

生产周期

约35天

如何选型

1.确定温度精度要求与尺寸
2.确定真度要求
3.确定点位数量与排布
4.确定引出线长度