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RTD Wafer温度传感器

RTD wafer inroduction

RTD Wafer温度传感器

  • 测温精度高:±0.05℃
  • 测温范围:-40~250℃
  • 测温点数:1-97点
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RTD Wafer introduction 温度传感器

RTD Wafer温度传感器

产品介绍

RTD Wafer是使用特殊加工工艺 将测温传感器(RTD)镶嵌于晶圆表面特定位置,从而可实现晶圆表面温度实时测量的温度传感器。
通过RTD Wafer可获得晶圆特定位置的真实温度测量值以及整体晶 圆的温度分布情况;也可用于持续 监控在热处理制程中晶圆瞬态温度变化。

规格参数

1

精度

±0.05℃

2

测温范围

-40~250℃

3

温度分辨率

0.01℃

4

传感器类型

PT

5

测温点数

1~97

6

基底材质

硅/ 蓝宝石等

7

晶圆尺寸

2”,4”,6”,8”,12”

8

通信

有线+无线

9

厚度

2~3.5mm

10

使用寿命

6个月

11

校准寿命

6个月

12

使用环境

真空/大气/惰性气体/其他

软件界面

主要应用

前段刻蚀 Front Track Systems
静电卡盘(ESC)
加热板 Hot Plates
致冷盘 Cold Plates
光刻 HMDS Chambers
涂胶显影设备

生产周期

35天

如何选型

1.确定温度精度要求与尺寸
2.确定真度要求
3.确定点位数量与排布
4.确定引出线长度