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TC Wafer 介绍

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TC Wafer 介绍

什么是TC晶圆及其用途?

 在晶圆温度测量的背景下,TC晶圆通常指“热电偶晶圆(Thermocouple Wafer)。” 这是一个配备了热电偶或其他温度传感器的特殊晶圆,用于在半导体制造过程中测量和监控晶圆的温度,如化学气相沉积(CVD)、刻蚀和退火等工艺。

TC晶圆的特点

嵌入式热电偶
TC晶圆在多个点嵌入了热电偶,以提供晶圆表面准确的实时温度测量。

高温范围
这些晶圆能够承受并准确测量广泛的温度范围,这对于涉及高温的工艺至关重要。

均匀性测量
TC晶圆有助于评估晶圆上的温度均匀性,这对确保一致的工艺结果和高质量的半导体器件至关重要。

实时监控
它们提供实时温度数据,使工艺工程师能够即时调整,以维持制造过程中的最佳条件。

校准与工艺控制
TC晶圆用于校准半导体设备的温度设置,确保实际温度与设定点一致。

兼容性
设计与标准半导体加工设备兼容,可无缝集成到现有的工作流程中。

耐用性与可重复使用性
TC晶圆经久耐用,可在高温工艺中多次使用而不会显著降解。

TC晶圆的应用

化学气相沉积(CVD)
确保在薄膜沉积过程中温度分布均匀。

刻蚀
在等离子刻蚀过程中监控和控制温度,以实现精确的图形化。

退火
在退火过程中测量温度,确保掺杂剂的适当激活和晶圆的应力释放。

快速热处理(RTP)
在快速加热和冷却循环中提供准确的温度分布。

氧化
在氧化过程中控制温度,以在晶圆表面形成高质量的氧化层。

外延
在外延层生长过程中确保温度的一致性。

使用TC晶圆的好处

改进的工艺控制
通过提供精确的温度数据,提高控制和优化半导体制造工艺的能力

更高的产量和质量
通过维持最佳温度,TC晶圆有助于实现更高的产量和更高质量的半导体器件。

减少停机时间
提前检测温度异常,能够更快地调整并减少工艺停机时间。

工艺开发与优化
通过提供详细的温度分布,促进新工艺的开发和微调。

TC晶圆是半导体制造中的重要工具,提供关键的温度测量和控制能力,提升了工艺效率、质量和可靠性。

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FAQ

Yes. Define each length of L1, L2, L3 ( Mainly consider the length that TC-wafer placed in the chamber)

Yes. We provide flexible customization service to meet our client’s needs.

Not really the same. The temperature in process should be consider when choosing the correct item. For example, TC-wafer can test within 1200℃, but On Wafer system can only test under 100℃.