Rsuwei
对于薄膜沉积、溅射和蚀刻等半导体工艺,AGS 提高一致性和工艺良率,以实现精确和可重复的设置, 实现在真空下快速进行非接触间隙测量和平行度调整, 提高一致性、机台使用率和重复性。
薄膜沉积溅射蚀刻
研发阶段
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可以。确定各线段L1L2L3的线长(主要 考虑TCWafer放置于Chamber里 的线长)
可以。我们提供柔性化服务满足客户需求。
不完全通用。主要考虑温度环境。例如TC-WaferR可达1200℃,On Wafer适用于100℃内。