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无线晶圆温度测量系统 – On Wafer 介绍

无线晶圆温度测量系统是半导体制造领域的一项突破性创新,专为测量和记录干法刻蚀工艺环境对生产晶圆的影响而设计。该先进系统直接嵌入晶圆中,能够在实际工艺条件下提供无与伦比的见解,并且无需使用有线连接。

主要特点

  • 无线监测:系统嵌入晶圆中,实现干法刻蚀过程中的实时无线温度监测,提供准确且即时的数据,而无需繁琐的电缆连接。
  • 综合数据采集:在与产品工艺相同的条件下测量和记录温度数据,确保最相关且可操作的见解。
  • 工艺校准:帮助工艺工程师校准刻蚀工艺条件,确保晶圆的最佳性能和均匀性。
  • 均匀性提升:优化温度分布的均匀性,从而实现一致且高质量的生产结果。
  • 腔体匹配:验证并匹配不同刻蚀腔体的温度分布,确保所有加工设备的一致性能。
  • 维护后验证:在预防性维护(PM)后验证工艺条件和性能,减少停机时间,确保最佳运行状态。

优势

  • 精准控制:实现无与伦比的温度测量精度,能够对刻蚀工艺条件进行微调以获得最佳结果。
  • 均匀性提升:改善晶圆上温度分布的均匀性,从而实现更一致和可靠的生产结果。
  • 实时数据:在干法刻蚀过程中获取实时温度数据,允许即时调整和优化。
  • 提高效率:简化校准、验证和确认过程,减少停机时间,提高整体生产效率。
  • 质量保证:确保所有刻蚀腔体的一致性能,提升半导体设备的质量和可靠性。

应用

  • 刻蚀工艺校准:基于准确的实时温度数据调整和微调刻蚀工艺条件。
  • 腔体匹配:匹配不同刻蚀腔体的温度分布,以确保均匀性能。
  • 维护后验证:在预防性维护后验证工艺条件,确保设备性能达到最佳状态。

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FAQ

Yes. Define each length of L1, L2, L3 ( Mainly consider the length that TC-wafer placed in the chamber)

Yes. We provide flexible customization service to meet our client’s needs.

Not really the same. The temperature in process should be consider when choosing the correct item. For example, TC-wafer can test within 1200℃, but On Wafer system can only test under 100℃.